Kondensator zbutës GTO në pajisjet elektronike të fuqisë

Përshkrim i shkurtër:

Qarqet zbutëse janë thelbësore për diodat e përdorura në qarqet komutuese. Ato mund ta shpëtojnë një diodë nga luhatjet e mbitensionit, të cilat mund të lindin gjatë procesit të rikuperimit të kundërt.

Na dërgoni email Shkarko si PDF

Detajet e produktit

Etiketat e produkteve

Të dhëna teknike

Diapazoni i temperaturës së funksionimit	Temperatura maksimale e funksionimit., Maksimumi: + 85℃ Temperatura e kategorisë së sipërme: +85℃ Temperatura e kategorisë së poshtme: -40℃
diapazoni i kapacitetit	0.22～3μF
Tensioni i vlerësuar	3000V.DC~10000V.DC
Kap.tol	±5% (J); ±10% (K)
Rezistencë ndaj tensionit	1.35 Un DC/10S
Faktori i shpërndarjes	tgδ≤0.001 f=1KHz
Rezistenca e izolimit	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (në 20℃ 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S (në 20℃ 100V.DC 60S)
I reziston rrymës së goditjes	shih fletën e të dhënave
Jetëgjatësia	100000h (Un; Θpika≤70°C)
Standardi i referencës	IEC 61071;

Karakteristikë

1. Shirit Mylar, i vulosur me rrëshirë;

2. Përçues bakri për dado;

3. Rezistencë ndaj tensionit të lartë, tgδ të ulët, rritjes së temperaturës së ulët;

4. ESL dhe ESR i ulët;

5. Rrymë e lartë pulsuese.

Aplikacioni

1. Zvogëlues i GTO-së.

2. Përdoret gjerësisht në pajisjet elektronike të energjisë kur tensioni maksimal, mbrojtja nga thithja e rrymës maksimale.

Qarku tipik

Vizatim skicë

Specifikimi

Un=3000V.DC
Kapaciteti (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapaciteti (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapaciteti (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapaciteti (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapaciteti (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70